Samsung MZ-V9S2T0BW 990 EVO Plus SSD Interno M.2 2TB PCIe 4.0 NVMe 2.0 V-NAND TLC 7250 MB-s

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Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Cod
CategoriaSSD
MarchioSAMSUNG

In sintesi

Samsung MZ-V9S2T0BW 990 EVO Plus SSD Interno M.2 2TB PCIe 4.0 NVMe 2.0 V-NAND TLC 7250 MB-s


Descrizione

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all’area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell’unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un’area TurboWrite più ampia.

Specifiche tecniche

Capacità SSD

2 TB

Dimensione Ssd

Interfaccia

PCI Express 4.0

Nvme

Tipo memoria

V-NAND TLC

Componente per

PC

criptaggio hardware

Sì

Versione di NVMe

2.0

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES

Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocità di lettura

7250 MB/s

Velocità di scrittura

6300 MB/s

Lettura casuale (4KB)

1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB)

1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì

Supporto S.M.A.R.T.

Sì

Supporto TRIM

Sì

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Tensione di esercizio

3,3 V

Consumo di energia (in lettura)

4,6 W

Consumo di energia (in scrittura)

4,2 W

Consumo energetico medio (lettura)

4,6 W

Consumo energetico medio (scrittura)

4,2 W

Consumo energetico (inattivo)

0,06 W

Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)

5 mW

Larghezza

Profondità

Altezza

Peso

Larghezza imballo

Profondità imballo

Altezza imballo

Peso dell'imballo

Intervallo temperatura di funzionamento

0 – 70 °C

Shock di funzionamento

1500 G

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L'offerta attuale per Samsung MZ-V9S2T0BW 990 EVO Plus SSD Interno M.2 2TB PCIe 4.0 NVMe 2.0 V-NAND TLC 7250 MB-s si attesta sui valori più convenienti mai registrati dall'osservatorio (86/100). Il prezzo si colloca ai minimi del periodo monitorato: ottima occasione d'acquisto.

Domande frequenti
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