Samsung MZ-V9V1T0BW 990 EVO SSD M.2 PCI Express 4.0 NVMe 1TB V-NAND velocita’ lettura 7150 MB-s scrittura 6450 MB-s colore Nero

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CategoriaSSD
MarchioSAMSUNG

In sintesi

Samsung MZ-V9V1T0BW 990 EVO SSD M.2 PCI Express 4.0 NVMe 1TB V-NAND velocita’ lettura 7150 MB-s scrittura 6450 MB-s colore Nero


Descrizione

Specifiche tecniche

Capacità SSD

1 TB

Dimensione Ssd

Interfaccia

PCI Express 4.0

Nvme

Tipo memoria

V-NAND

Componente per

PC

criptaggio hardware

Sì

Versione di NVMe

2.0

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES, TCG Opal 2.0

Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocità di lettura

7150 MB/s

Velocità di scrittura

6450 MB/s

Lettura casuale (4KB)

700000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB)

1100000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Linee dati dell'interfaccia PCI Express

x4

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì

Revisione PCI Express CEM

4.0

Supporto S.M.A.R.T.

Sì

Supporto TRIM

Sì

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Tensione di esercizio

3,3 V

Consumo di energia (in lettura)

4 W

Consumo di energia (in scrittura)

3,7 W

Consumo energetico (inattivo)

0,055 W

Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)

3 mW

Larghezza

Profondità

Altezza

Tipo di imballo

Scatola

Intervallo temperatura di funzionamento

0 – 70 °C

Shock di funzionamento

1500 G

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Domande frequenti
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