Samsung MZ-V9V2T0BW 990 EVO SSD M.2 PCI Express 4.0 NVMe 2TB V-NAND velocita’ lettura 7250 MB-s scrittura 6450 MB-s colore Nero

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Samsung MZ-V9V2T0BW 990 EVO SSD M.2 PCI Express 4.0 NVMe 2TB V-NAND velocita' lettura 7250 MB-s scrittura 6450 MB-s colore Nero
Scheda tecnica(25 specifiche)

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Capacità SSD
2 TB
Dimensione Ssd
M.2
Interfaccia
PCI Express 4.0
Nvme
Sì
Tipo memoria
V-NAND
Componente per
PC
Vedi tutte le specifiche (altre 19)
Versione di NVMe
2.0
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES, TCG Opal 2.0
Dimensioni dell'unità SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura
7250 MB/s
Velocità di scrittura
6450 MB/s
Linee dati dell'interfaccia PCI Express
x4
Revisione PCI Express CEM
4.0
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
Tensione di esercizio
3,3 V
Consumo di energia (in lettura)
4,3 W
Consumo di energia (in scrittura)
3,8 W
Consumo energetico (inattivo)
0,055 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)
3 mW
Larghezza
80,2 mm
Profondità
238 mm
Altezza
221 mm
Tipo di imballo
Scatola
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Shock di funzionamento
1500 G

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CategoriaSSD
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In sintesi

Samsung MZ-V9V2T0BW 990 EVO SSD M.2 PCI Express 4.0 NVMe 2TB V-NAND velocita’ lettura 7250 MB-s scrittura 6450 MB-s colore Nero


Descrizione

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Specifiche tecniche

Capacità SSD

2 TB
Dimensione Ssd

Interfaccia

PCI Express 4.0
Nvme

Tipo memoria

V-NAND
Componente per

PC
criptaggio hardware

Sì
Versione di NVMe

2.0
Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES, TCG Opal 2.0
Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura

7250 MB/s
Velocità di scrittura

6450 MB/s
Lettura casuale (4KB)

850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)

1200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Express

x4
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì
Revisione PCI Express CEM

4.0
Supporto S.M.A.R.T.

Sì
Supporto TRIM

Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h
Tensione di esercizio

3,3 V
Consumo di energia (in lettura)

4,3 W
Consumo di energia (in scrittura)

3,8 W
Consumo energetico (inattivo)

0,055 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)

3 mW
Larghezza

Profondità

Altezza

Tipo di imballo

Scatola
Intervallo temperatura di funzionamento

0 – 70 °C
Shock di funzionamento

1500 G

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Il prezzo di Samsung MZ-V9V2T0BW 990 EVO SSD M.2 PCI Express 4.0 NVMe 2TB V-NAND velocita’ lettura 7250 MB-s scrittura 6450 MB-s colore Nero si posiziona attualmente sopra i livelli medi storici (50/100).