Samsung SSD Interno 990 Evo Plus 4TB Pci-E Nvme R/W 6300/7250 Mbs MZ-V9s4t0bw

  • 4 TB
  • 7250 MB/s
  • 6300 MB/s
  • 1050000 IOPS

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I premi e i bollini
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Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Ssd-solid state disk m.2(2280) nvme 2.0 4000gb (4tb) pcie4.0x4 samsung mz-v9s4t0bw ssd990 evo plus 990 r:7250mb/s -w:6300mb/s
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CategoriaSSD
MarchioSAMSUNG

In sintesi

Samsung SSD Interno 990 Evo Plus 4TB Pci-E Nvme R/W 6300/7250 Mbs MZ-V9s4t0bw


4 TBspazio di archiviazione per programmi, file e sistema operativo
7250 MB/svelocità massima nel leggere i dati sequenziali
6300 MB/svelocità massima nel salvare i dati sequenziali
1050000 IOPSoperazioni al secondo per l'accesso e la lettura di file piccoli

Andamento del prezzo

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Nel mese di Novembre 14, 2026

Descrizione

SSD interno

Samsung SSD Interno 990 Evo Plus: cosa devi sapere

Questo componente è un SSD interno per computer progettato per l'installazione su scheda madre, utile per archiviare file e avviare il sistema operativo con una capacità di 4 TB.

Connessione e formato dell'unità

L'unità si presenta nello standard M.2 2280 e si collega direttamente alla scheda madre tramite interfaccia PCI Express 4.0 con protocollo NVMe 2.0.

Sicurezza e gestione energetica

La crittografia hardware AES a 256-bit protegge i documenti salvati direttamente sul supporto, mentre il supporto DevSlp riduce il consumo energetico quando il dispositivo è inattivo.

Punti forti

  • Interfaccia PCI Express 4.0 e protocollo NVMe 2.0
  • Protezione dei dati integrata con crittografia hardware AES a 256-bit
  • Funzionalità di risparmio energetico in stato di inattività DevSlp

Prima di ordinare, controlla

  • Verifica che la scheda madre disponga di uno slot M.2 compatibile con il formato 2280.
  • Assicurati che la scheda madre supporti l'interfaccia PCI Express 4.0 per sfruttare le prestazioni dichiarate.
È adatto a te seVuoi assemblare o aggiornare un computer con un'unità di archiviazione interna veloce in formato M.2.
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Scritto da PrezzoTop con i dati della scheda tecnica.

Scheda tecnica completa

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all’area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell’unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un’area TurboWrite più ampia.

Specifiche tecniche

Capacità SSD

4 TB

Dimensione Ssd

Interfaccia

PCI Express 4.0

Nvme

Tipo memoria

V-NAND TLC

Componente per

PC

criptaggio hardware

Sì

Versione di NVMe

2.0

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES

Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocità di lettura

7250 MB/s

Velocità di scrittura

6300 MB/s

Lettura casuale (4KB)

1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB)

1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì

Supporto S.M.A.R.T.

Sì

Supporto TRIM

Sì

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Tensione di esercizio

3,3 V

Consumo di energia (in lettura)

5,5 W

Consumo di energia (in scrittura)

4,8 W

Consumo energetico (inattivo)

0,06 W

Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)

5 mW

Larghezza

Profondità

Altezza

Peso

Larghezza imballo

Profondità imballo

Altezza imballo

Peso dell'imballo

Intervallo temperatura di funzionamento

0 – 70 °C

Shock di funzionamento

1500 G

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